電子機能材プロジェクト

エレクトロニクス

ESPACER®
電子線描畫用チャージアップ防止剤
導電性高分子を主な成分とするチャージアップ防止膜形成材料です。塗膜は高い電子伝導性を示し、電子線リソグラフィーをはじめとする荷電粒子線照射プロセスにおいて、チャージアップによって生じる諸問題の解決が期待できます。
代表製品名英語
ESPACER
用途
半導體製造(電子線描畫時の帯電による畫像の歪み防止用)
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TEL :03-5470-3293
FAX :
アルミニウムインジウムガリウムリンLEDチップ
AlInGaP(アルミニウムインジウムガリウムリン)LEDチップ
AlInGaPエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切斷しています。表示ランプ、ドットマトリックスディスプレイ、バックライト、植物育成用赤色LED(660nm)に用いられます。
代表製品名英語
aluminium indium gallium phosphide LED chip
用途
表示ランプ、ドットマトリックスディスプレイ、バックライト、植物育成用赤色LED
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TEL :0494-23-6112
FAX :0494-24-7708
アルミニウムインジウムガリウムリンエピタキシャルウェハー
AlInGaP(アルミニウムインジウムガリウムリン)エピタキシャルウェハー
代表製品名英語
aluminium indium gallium phosphide epitaxial wafer
用途
高輝度可視LEDチップ
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アルミニウムガリウム砒素LEDチップ
AlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)LEDチップ
AlGaAsエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切斷しています。可視LEDランプ、表示用ランプ、チップLED、數字表示、文字表示ディスプレイ、ドットマトリックスディスプレイ等に用いられます。
代表製品名英語
aluminium gallium arsenide LED chip
用途
可視LEDランプ、赤外LEDランプ、リモコン、センサー、オプトカプラー
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TEL :0494-23-6112
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アルミニウムガリウム砒素エピタキシャルウェハー
AlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)エピタキシャルウェハー
GaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でAlGaAsヘテロ接合エピタキシャル層形成させた発光ダイオード用のウェハー。高輝度赤色、700-930nmの赤外各種波長帯のものがあり、可視LEDチップと赤外LEDチップ雙方に用いられます。
代表製品名英語
aluminium gallium arsenide epitaxial wafer
用途
可視LEDチップ、赤外LEDチップ
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ガリウムリンLEDチップ
GaP(ガリウムリン) LEDチップ
GaPエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切斷しています。表示ランプ、チップLED、バックライト、數字表示、アレイ、文字表示等のディスプレイに用いられます。
代表製品名英語
gallium phosphide LED chip
用途
表示ランプ、チップLED、バックライト、數字表示、アレイ、文字表示などのディスプレイ
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TEL :0494-23-6112
FAX :0494-24-7708
ガリウムリンエピタキシャルウェハー
GaP(ガリウムリン)エピタキシャルウェハー
GaP単結晶基板(n型)上に液相エピタキシャル成長法でpn接合を形成させた可視発光ダイオード用のウェハー。赤色、緑色、黃緑色等、各種色調及び輝度のものを取り揃えております。
代表製品名英語
gallium phosphide epitaxial wafer
用途
可視発光ダイオードチップ
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TEL :0494-23-6112
FAX :0494-24-7708
ガリウム砒素LEDチップ
GaAs(ガリウム砒素)LEDチップ
GaAsエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切斷しています。赤外LEDランプ、リモコン、センサー、オプトカプラーに用いられます。
代表製品名英語
gallium arsenide LED chip
用途
赤外LEDランプ、リモコン、センサー、オプトカプラー
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電子機能材プロジェクト
TEL :0494-23-6112
FAX :0494-24-7708
ガリウム砒素エピタキシャルウェハー
GaAs(ガリウム砒素)エピタキシャルウェハー
GaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でpn説合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハー。赤外LEDチップに用いられます。
代表製品名英語
gallium arsenide epitaxial wafer
用途
赤外LEDチップ
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電子機能材プロジェクト
TEL :0494-23-6112
FAX :0494-24-7708
MOCVDエピタキシャルウェハー
InP単結晶基板等に有機金屬化學気相成長法によってInGaAs、InGaAsP等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハー。レーザーダイオード、受光素子(PIN、APD)に用いられます。
代表製品名英語
MOCVD epitaxial wafer
用途
レーザーダイオード、受光素子(PIN、APD)
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FAX :0494-24-7708
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